Voor bezoekers van Electronica 2024

Boek nu je tijd!

Het enige dat nodig is, is een paar klikken om uw plaats te reserveren en het stand -ticket te krijgen

Hall C5 Booth 220

Voorafgaande registratie

Voor bezoekers van Electronica 2024
Jullie melden zich allemaal aan! Bedankt voor het maken van een afspraak!
We sturen u de stand -tickets per e -mail zodra we uw reservering hebben geverifieerd.
Huis > producten > Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Single > DMN10H099SFG-13
RFQs/bestelling (0)
Nederland
Nederland
119837DMN10H099SFG-13-afbeeldingDiodes Incorporated

DMN10H099SFG-13

Offerte aanvragen

Vul alle vereiste velden in met uw contactgegevens. Klik op "RFQ indienen" We nemen binnenkort contact met u op via e -mail.Of e -mail ons:info@ftcelectronics.com

Referentieprijs (in Amerikaanse dollars)

Op voorraad
3000+
$0.303
Onderzoek online
bestek
  • Onderdeel nummer
    DMN10H099SFG-13
  • Fabrikant / Merk
    Diodes Incorporated
  • Aandelenhoeveelheid
    Op voorraad
  • Beschrijving
    MOSFET N-CH 100V 4.2A
  • Leid Free Status / RoHS Status
    Loodvrij / RoHS-conform
  • Datasheets
    DMN10H099SFG-13.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Leverancier Device Pakket
    PowerDI3333-8
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, VGS
    80 mOhm @ 3.3A, 10V
  • Vermogensverlies (Max)
    980mW (Ta)
  • Packaging
    Tape & Reel (TR)
  • Verpakking / doos
    8-PowerWDFN
  • Temperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • montage Type
    Surface Mount
  • Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Fabrikant Standaard Levertijd
    32 Weeks
  • Loodvrije status / RoHS-status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1172pF @ 50V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    25.2nC @ 10V
  • FET Type
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Aandrijfspanning (Max. Rds Aan, Min. Rds Aan)
    6V, 10V
  • Drain naar de Bron Voltage (Vdss)
    100V
  • gedetailleerde beschrijving
    N-Channel 100V 4.2A (Ta) 980mW (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C
    4.2A (Ta)

Anthropic ontvangt nog eens $ 4 miljard investering van Ama...

2024/11/23

Semi: IC -omzetstijging met 12% in Q3, de groei naar ve...

2024/11/22

Het is gemeld dat Kioxia op 22 november goedkeuring zal ont...

2024/11/21

Het nieuwste silicium optische platform van Tower Semicondu...

2024/11/20

De industrie herstelt langzaam.De epitaxiale leverancier IQ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Leverancier: een groot aantal RTX 50 -serie GPU -componente...

2024/11/18

Taiwan, de outputwaarde van China Semiconductor zal dit jaa...

2024/11/17

LG -display breidt de productie van OLED -panelen uit en be...

2024/11/15

Amazon verhoogt de inspanningen om AI -chips op maat te mak...

2024/11/14

De nettowinst van Pegatron was NT $ 4,296 miljard, een drie...

2024/11/13
Verzenden
Betaling
Het volgende is "DMN10H099SFG-13" gerelateerde producten.
DMN1019USN-7

DMN1019USN-7

Beschrijving: MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59

fabrikanten: Diodes Incorporated
Op voorraad
RFQ
DMN1045UFR4-7

DMN1045UFR4-7

Beschrijving: MOSFET N-CH 12V 3.2A DFN1010-3

fabrikanten: Diodes Incorporated
Op voorraad
RFQ
DMN10H099SFG-7

DMN10H099SFG-7

Beschrijving: MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333

fabrikanten: Diodes Incorporated
Op voorraad
RFQ
DMN1033UCB4-7

DMN1033UCB4-7

Beschrijving: MOSFET 2N-CH 12V U-WLB1818-4

fabrikanten: Diodes Incorporated
Op voorraad
RFQ
DMN10H100SK3-13

DMN10H100SK3-13

Beschrijving: MOSFET N-CH 100V 18A TO252

fabrikanten: Diodes Incorporated
Op voorraad
RFQ
DMN1019UVT-7

DMN1019UVT-7

Beschrijving: MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26

fabrikanten: Diodes Incorporated
Op voorraad
RFQ
DMN10H170SFG-7

DMN10H170SFG-7

Beschrijving: MOSFET N-CH 100V 2.9A POWERDI

fabrikanten: Diodes Incorporated
Op voorraad
RFQ
DMN1032UCB4-7

DMN1032UCB4-7

Beschrijving: MOSFET N-CH 12V 4.8A U-WLB1010-4

fabrikanten: Diodes Incorporated
Op voorraad
RFQ
DMN1029UFDB-7

DMN1029UFDB-7

Beschrijving: MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN

fabrikanten: Diodes Incorporated
Op voorraad
RFQ
DMN1054UCB4-7

DMN1054UCB4-7

Beschrijving: MOSFET N-CH 8V 2.7A X1-WLB0808-4

fabrikanten: Diodes Incorporated
Op voorraad
RFQ
DMN1029UFDB-13

DMN1029UFDB-13

Beschrijving: MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN

fabrikanten: Diodes Incorporated
Op voorraad
RFQ
DMN10H120SFG-7

DMN10H120SFG-7

Beschrijving: MOSFET N-CH 100V 3.8A POWERDI

fabrikanten: Diodes Incorporated
Op voorraad
RFQ
DMN10H099SK3-13

DMN10H099SK3-13

Beschrijving: MOSFET N-CH 100V 17A TO252

fabrikanten: Diodes Incorporated
Op voorraad
RFQ
DMN10H170SFDE-7

DMN10H170SFDE-7

Beschrijving: MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN

fabrikanten: Diodes Incorporated
Op voorraad
RFQ
DMN1053UCP4-7

DMN1053UCP4-7

Beschrijving: MOSFET N-CH 12V 2.7A X3-DSN0808

fabrikanten: Diodes Incorporated
Op voorraad
RFQ
DMN10H120SE-13

DMN10H120SE-13

Beschrijving: MOSFET N-CH 100V 3.6A SOT223

fabrikanten: Diodes Incorporated
Op voorraad
RFQ
DMN1019UVT-13

DMN1019UVT-13

Beschrijving: MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26

fabrikanten: Diodes Incorporated
Op voorraad
RFQ
DMN10H170SFG-13

DMN10H170SFG-13

Beschrijving: MOSFET N-CH 100V 2.9A POWERDI

fabrikanten: Diodes Incorporated
Op voorraad
RFQ
DMN10H120SFG-13

DMN10H120SFG-13

Beschrijving: MOSFET N-CH 100V 3.8A POWERDI

fabrikanten: Diodes Incorporated
Op voorraad
RFQ
DMN10H170SFDE-13

DMN10H170SFDE-13

Beschrijving: MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN

fabrikanten: Diodes Incorporated
Op voorraad
RFQ
Als de enige openbare open marktdistributeur hebben we een unieke combinatie van wereldwijde toegang tot de productie -industrie en bewezen kwaliteit.Hiermee kunnen we aangepaste, end-to-end supply chain-oplossingen maken voor elektronica-componenten sourcing en voorraadbeheer.
Volg ons
algemene voorwaardenInbreukbeleidEen offerte aanvragenOver onsNeem contact met ons opSitekaart

Selecteer Taal

Klik op de ruimte om te verlaten

Huidige taal

Kies uw land of regio.