Voor bezoekers van Electronica 2024

Boek nu je tijd!

Het enige dat nodig is, is een paar klikken om uw plaats te reserveren en het stand -ticket te krijgen

Hall C5 Booth 220

Voorafgaande registratie

Voor bezoekers van Electronica 2024
Jullie melden zich allemaal aan! Bedankt voor het maken van een afspraak!
We sturen u de stand -tickets per e -mail zodra we uw reservering hebben geverifieerd.
Huis > producten > Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Single > DMN2011UFDE-7
RFQs/bestelling (0)
Nederland
Nederland
6785671DMN2011UFDE-7-afbeeldingDiodes Incorporated

DMN2011UFDE-7

Offerte aanvragen

Vul alle vereiste velden in met uw contactgegevens. Klik op "RFQ indienen" We nemen binnenkort contact met u op via e -mail.Of e -mail ons:info@ftcelectronics.com

Referentieprijs (in Amerikaanse dollars)

Op voorraad
3000+
$0.263
Onderzoek online
bestek
  • Onderdeel nummer
    DMN2011UFDE-7
  • Fabrikant / Merk
    Diodes Incorporated
  • Aandelenhoeveelheid
    Op voorraad
  • Beschrijving
    MOSFET N-CH 20V 11.7A UDFN2020-6
  • Leid Free Status / RoHS Status
    Loodvrij / RoHS-conform
  • Datasheets
    DMN2011UFDE-7.pdf
  • ECAD -model
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Leverancier Device Pakket
    U-DFN2020-6 (Type E)
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, VGS
    9.5 mOhm @ 7A, 4.5V
  • Vermogensverlies (Max)
    610mW (Ta)
  • Packaging
    Tape & Reel (TR)
  • Verpakking / doos
    6-UDFN Exposed Pad
  • Andere namen
    DMN2011UFDE-7DITR
  • Temperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • montage Type
    Surface Mount
  • Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Fabrikant Standaard Levertijd
    16 Weeks
  • Loodvrije status / RoHS-status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2248pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    56nC @ 10V
  • FET Type
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Aandrijfspanning (Max. Rds Aan, Min. Rds Aan)
    1.5V, 4.5V
  • Drain naar de Bron Voltage (Vdss)
    20V
  • gedetailleerde beschrijving
    N-Channel 20V 11.7A (Ta) 610mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type E)
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C
    11.7A (Ta)
  • Base Part Number
    DMN2011

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kondigt 500 ontslagen aan, met herstructureringsk...

2024/12/4

Quanta: AI -vraag blijft sterk, met een gestage stroom van ...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vermindert het fotoresistische gebruik aanzienlijk ...

2024/12/2

Vishay zal £ 51 miljoen investeren in de overgenomen NWF W...

2024/11/29

Trump's tariefdreiging, NVIDIA, Intel Leveranciers beoo...

2024/11/28

Intel ontvangt $ 7,86 miljard aan subsidies onder de US Chi...

2024/11/27
Verzenden
Betaling
Het volgende is "DMN2011UFDE-7" gerelateerde producten.
DMN2009LSS-13

DMN2009LSS-13

Beschrijving: MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC

fabrikanten: Diodes Incorporated
Op voorraad
RFQ
DMN2015UFDF-7

DMN2015UFDF-7

Beschrijving: MOSFET N-CH 20V 15.2A UDFN2020-6

fabrikanten: Diodes Incorporated
Op voorraad
RFQ
DMN2014LHAB-7

DMN2014LHAB-7

Beschrijving: MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN

fabrikanten: Diodes Incorporated
Op voorraad
RFQ
DMN2011UFDF-13

DMN2011UFDF-13

Beschrijving: MOSFET N-CH 20V 14.2A UDFN2020-6

fabrikanten: Diodes Incorporated
Op voorraad
RFQ
DMN2011UFDF-7

DMN2011UFDF-7

Beschrijving: MOSFET N-CH 20V 14.2A UDFN2020-6

fabrikanten: Diodes Incorporated
Op voorraad
RFQ
DMN2011UFX-7

DMN2011UFX-7

Beschrijving: MOSFET 2N-CH 20V 12.2A DFN2050-4

fabrikanten: Diodes Incorporated
Op voorraad
RFQ
DMN2005UFG-7

DMN2005UFG-7

Beschrijving: MOSFET N-CH 20V 18.1A POWERDI-8

fabrikanten: Diodes Incorporated
Op voorraad
RFQ
DMN2013UFX-7

DMN2013UFX-7

Beschrijving: MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN

fabrikanten: Diodes Incorporated
Op voorraad
RFQ
DMN2011UTS-13

DMN2011UTS-13

Beschrijving: MOSFET N-CH 20V 21A 8-TSSOP

fabrikanten: Diodes Incorporated
Op voorraad
RFQ
DMN2005LPK-7

DMN2005LPK-7

Beschrijving: MOSFET N-CH 20V 440MA 3-DFN

fabrikanten: Diodes Incorporated
Op voorraad
RFQ
DMN2008LFU-13

DMN2008LFU-13

Beschrijving: MOSFET 2NCH 20V 14.5A UDFN2030

fabrikanten: Diodes Incorporated
Op voorraad
RFQ
DMN2005UPS-13

DMN2005UPS-13

Beschrijving: MOSFET N-CH 20V 20A POWERDI5060

fabrikanten: Diodes Incorporated
Op voorraad
RFQ
DMN2005UFG-13

DMN2005UFG-13

Beschrijving: MOSFET N-CH 20V 18.1A POWERDI-8

fabrikanten: Diodes Incorporated
Op voorraad
RFQ
DMN2011UFDE-13

DMN2011UFDE-13

Beschrijving: MOSFET N-CH 20V 11.7A SOT323

fabrikanten: Diodes Incorporated
Op voorraad
RFQ
DMN2010UDZ-7

DMN2010UDZ-7

Beschrijving: MOSFET 2N-CH 20V 11A U-DFN2535-6

fabrikanten: Diodes Incorporated
Op voorraad
RFQ
DMN2015UFDF-13

DMN2015UFDF-13

Beschrijving: MOSFET N-CH 20V 15.2A UDFN2020-6

fabrikanten: Diodes Incorporated
Op voorraad
RFQ
DMN2013UFDE-7

DMN2013UFDE-7

Beschrijving: MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN

fabrikanten: Diodes Incorporated
Op voorraad
RFQ
DMN2005LP4K-7

DMN2005LP4K-7

Beschrijving: MOSFET N-CH 20V 200MA 3-DFN

fabrikanten: Diodes Incorporated
Op voorraad
RFQ
DMN2015UFDE-7

DMN2015UFDE-7

Beschrijving: MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN

fabrikanten: Diodes Incorporated
Op voorraad
RFQ
DMN2008LFU-7

DMN2008LFU-7

Beschrijving: MOSFET 2N-CHA 20V 14.5A DFN2030

fabrikanten: Diodes Incorporated
Op voorraad
RFQ
Als de enige openbare open marktdistributeur hebben we een unieke combinatie van wereldwijde toegang tot de productie -industrie en bewezen kwaliteit.Hiermee kunnen we aangepaste, end-to-end supply chain-oplossingen maken voor elektronica-componenten sourcing en voorraadbeheer.
Volg ons
algemene voorwaardenInbreukbeleidEen offerte aanvragenOver onsNeem contact met ons opNieuwsSitekaart

Selecteer Taal

Klik op de ruimte om te verlaten

Huidige taal

Kies uw land of regio.