Voor bezoekers van Electronica 2024

Boek nu je tijd!

Het enige dat nodig is, is een paar klikken om uw plaats te reserveren en het stand -ticket te krijgen

Hall C5 Booth 220

Voorafgaande registratie

Voor bezoekers van Electronica 2024
Jullie melden zich allemaal aan! Bedankt voor het maken van een afspraak!
We sturen u de stand -tickets per e -mail zodra we uw reservering hebben geverifieerd.
Huis > producten > Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays > EPC2100ENGRT
RFQs/bestelling (0)
Nederland
Nederland
3976902EPC2100ENGRT-afbeeldingEPC

EPC2100ENGRT

Offerte aanvragen

Vul alle vereiste velden in met uw contactgegevens. Klik op "RFQ indienen" We nemen binnenkort contact met u op via e -mail.Of e -mail ons:info@ftcelectronics.com

Referentieprijs (in Amerikaanse dollars)

Op voorraad
500+
$5.419
Onderzoek online
bestek
  • Onderdeel nummer
    EPC2100ENGRT
  • Fabrikant / Merk
  • Aandelenhoeveelheid
    Op voorraad
  • Beschrijving
    MOSFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE
  • Leid Free Status / RoHS Status
    Loodvrij / RoHS-conform
  • Datasheets
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
  • Leverancier Device Pakket
    Die
  • Serie
    eGaN®
  • Rds On (Max) @ Id, VGS
    8.2 mOhm @ 25A, 5V, 2.1 mOhm @ 25A, 5V
  • Vermogen - Max
    -
  • Packaging
    Tape & Reel (TR)
  • Verpakking / doos
    Die
  • Andere namen
    917-EPC2100ENGRTR
  • Temperatuur
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • montage Type
    Surface Mount
  • Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Fabrikant Standaard Levertijd
    16 Weeks
  • Loodvrije status / RoHS-status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
  • FET Type
    2 N-Channel (Half Bridge)
  • FET Feature
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • Drain naar de Bron Voltage (Vdss)
    30V
  • gedetailleerde beschrijving
    Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 10A (Ta), 40A (Ta) Surface Mount Die
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C
    10A (Ta), 40A (Ta)
EPC2103

EPC2103

Beschrijving: TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG

fabrikanten: EPC
Op voorraad
EPC2102

EPC2102

Beschrijving: TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG

fabrikanten: EPC
Op voorraad
EPC2047ENGRT

EPC2047ENGRT

Beschrijving: TRANS GAN 200V BUMPED DIE

fabrikanten: EPC
Op voorraad
EPC2102ENGRT

EPC2102ENGRT

Beschrijving: MOSFET 2 N-CHANNEL 60V 23A DIE

fabrikanten: EPC
Op voorraad
EPC2050ENGRT

EPC2050ENGRT

Beschrijving: TRANS GAN 350V BUMPED DIE

fabrikanten: EPC
Op voorraad
EPC2101ENGRT

EPC2101ENGRT

Beschrijving: TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID

fabrikanten: EPC
Op voorraad
EPC2051ENGRT

EPC2051ENGRT

Beschrijving: TRANS GAN 100V DIE CU PILLAR

fabrikanten: EPC
Op voorraad
EPC2103ENGRT

EPC2103ENGRT

Beschrijving: TRANS GAN SYM HALF BRDG 80V

fabrikanten: EPC
Op voorraad
EPC2049ENGRT

EPC2049ENGRT

Beschrijving: TRANS GAN 40V BUMPED DIE

fabrikanten: EPC
Op voorraad
EPC2104

EPC2104

Beschrijving: TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG

fabrikanten: EPC
Op voorraad
EPC2100

EPC2100

Beschrijving: TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID

fabrikanten: EPC
Op voorraad
EPC2040ENGRT

EPC2040ENGRT

Beschrijving: TRANS GAN 15V BUMPED DIE

fabrikanten: EPC
Op voorraad
EPC2102ENG

EPC2102ENG

Beschrijving: TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE

fabrikanten: EPC
Op voorraad
EPC2046ENGRT

EPC2046ENGRT

Beschrijving: TRANS GAN 200V BUMPED DIE

fabrikanten: EPC
Op voorraad
EPC2045ENGRT

EPC2045ENGRT

Beschrijving: TRANS GAN 100V BUMPED DIE

fabrikanten: EPC
Op voorraad
EPC2101ENG

EPC2101ENG

Beschrijving: TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE

fabrikanten: EPC
Op voorraad
EPC2103ENG

EPC2103ENG

Beschrijving: TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE

fabrikanten: EPC
Op voorraad
EPC2040ENGR

EPC2040ENGR

Beschrijving: TRANS GAN 25V BUMPED DIE

fabrikanten: EPC
Op voorraad
EPC2101

EPC2101

Beschrijving: TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID

fabrikanten: EPC
Op voorraad
EPC2100ENG

EPC2100ENG

Beschrijving: TRANS GAN 2N-CH 30V BUMPED DIE

fabrikanten: EPC
Op voorraad

Selecteer Taal

Klik op de ruimte om te verlaten