Voor bezoekers van Electronica 2024

Boek nu je tijd!

Het enige dat nodig is, is een paar klikken om uw plaats te reserveren en het stand -ticket te krijgen

Hall C5 Booth 220

Voorafgaande registratie

Voor bezoekers van Electronica 2024
Jullie melden zich allemaal aan! Bedankt voor het maken van een afspraak!
We sturen u de stand -tickets per e -mail zodra we uw reservering hebben geverifieerd.
Huis > producten > Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays > EPC2107ENGRT
RFQs/bestelling (0)
Nederland
Nederland
4991136EPC2107ENGRT-afbeeldingEPC

EPC2107ENGRT

Offerte aanvragen

Vul alle vereiste velden in met uw contactgegevens. Klik op "RFQ indienen" We nemen binnenkort contact met u op via e -mail.Of e -mail ons:info@ftcelectronics.com
Onderzoek online
bestek
  • Onderdeel nummer
    EPC2107ENGRT
  • Fabrikant / Merk
  • Aandelenhoeveelheid
    Op voorraad
  • Beschrijving
    TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE
  • Leid Free Status / RoHS Status
    Loodvrij / RoHS-conform
  • Datasheets
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
  • Leverancier Device Pakket
    9-BGA (1.35x1.35)
  • Serie
    eGaN®
  • Rds On (Max) @ Id, VGS
    320 mOhm @ 2A, 5V, 3.3 Ohm @ 2A, 5V
  • Vermogen - Max
    -
  • Packaging
    Original-Reel®
  • Verpakking / doos
    9-VFBGA
  • Andere namen
    917-EPC2107ENGRDKR
  • Temperatuur
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • montage Type
    Surface Mount
  • Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Loodvrije status / RoHS-status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    16pF @ 50V, 7pF @ 50V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
  • FET Type
    3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
  • FET Feature
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • Drain naar de Bron Voltage (Vdss)
    100V
  • gedetailleerde beschrijving
    Mosfet Array 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) 100V 1.7A, 500mA Surface Mount 9-BGA (1.35x1.35)
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C
    1.7A, 500mA
EPC2108ENGRT

EPC2108ENGRT

Beschrijving: TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE

fabrikanten: EPC
Op voorraad
EPC2110

EPC2110

Beschrijving: MOSFET 2NCH 120V 3.4A DIE

fabrikanten: EPC
Op voorraad
EPC2105ENGRT

EPC2105ENGRT

Beschrijving: MOSFET 2NCH 80V 9.5A DIE

fabrikanten: EPC
Op voorraad
EPC2103ENGRT

EPC2103ENGRT

Beschrijving: TRANS GAN SYM HALF BRDG 80V

fabrikanten: EPC
Op voorraad
EPC2107

EPC2107

Beschrijving: MOSFET 3 N-CH 100V 9BGA

fabrikanten: EPC
Op voorraad
EPC2115ENGRT

EPC2115ENGRT

Beschrijving: 150 V GAN IC DUAL FET DRIVER

fabrikanten: EPC
Op voorraad
EPC2104

EPC2104

Beschrijving: TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG

fabrikanten: EPC
Op voorraad
EPC2108

EPC2108

Beschrijving: MOSFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA

fabrikanten: EPC
Op voorraad
EPC2111ENGRT

EPC2111ENGRT

Beschrijving: TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID

fabrikanten: EPC
Op voorraad
EPC2202

EPC2202

Beschrijving: GANFET N-CH 80V 18A DIE

fabrikanten: EPC
Op voorraad
EPC2105ENG

EPC2105ENG

Beschrijving: TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE

fabrikanten: EPC
Op voorraad
EPC2104ENG

EPC2104ENG

Beschrijving: TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE

fabrikanten: EPC
Op voorraad
EPC2106ENGRT

EPC2106ENGRT

Beschrijving: TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE

fabrikanten: EPC
Op voorraad
EPC2112ENGRT

EPC2112ENGRT

Beschrijving: 200 V GAN IC FET DRIVER

fabrikanten: EPC
Op voorraad
EPC2105

EPC2105

Beschrijving: TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID

fabrikanten: EPC
Op voorraad
EPC2106

EPC2106

Beschrijving: TRANS GAN SYM 100V BUMPED DIE

fabrikanten: EPC
Op voorraad
EPC2110ENGRT

EPC2110ENGRT

Beschrijving: TRANS GAN 2N-CH 120V BUMPED DIE

fabrikanten: EPC
Op voorraad
EPC2104ENGRT

EPC2104ENGRT

Beschrijving: MOSFET 2NCH 100V 23A DIE

fabrikanten: EPC
Op voorraad
EPC2111

EPC2111

Beschrijving: TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID

fabrikanten: EPC
Op voorraad
EPC2203

EPC2203

Beschrijving: GANFET N-CH 80V 1.7A 6SOLDER BAR

fabrikanten: EPC
Op voorraad

Selecteer Taal

Klik op de ruimte om te verlaten