Voor bezoekers van Electronica 2024

Boek nu je tijd!

Het enige dat nodig is, is een paar klikken om uw plaats te reserveren en het stand -ticket te krijgen

Hall C5 Booth 220

Voorafgaande registratie

Voor bezoekers van Electronica 2024
Jullie melden zich allemaal aan! Bedankt voor het maken van een afspraak!
We sturen u de stand -tickets per e -mail zodra we uw reservering hebben geverifieerd.
Huis > producten > Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Single > SI4888DY-T1-GE3
RFQs/bestelling (0)
Nederland
Nederland
1781917

SI4888DY-T1-GE3

Offerte aanvragen

Vul alle vereiste velden in met uw contactgegevens. Klik op "RFQ indienen" We nemen binnenkort contact met u op via e -mail.Of e -mail ons:info@ftcelectronics.com
Onderzoek online
bestek
  • Onderdeel nummer
    SI4888DY-T1-GE3
  • Fabrikant / Merk
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Aandelenhoeveelheid
    Op voorraad
  • Beschrijving
    MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
  • Leid Free Status / RoHS Status
    Loodvrij / RoHS-conform
  • Datasheets
    SI4888DY-T1-GE3.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1.6V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Leverancier Device Pakket
    8-SO
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, VGS
    7 mOhm @ 16A, 10V
  • Vermogensverlies (Max)
    1.6W (Ta)
  • Packaging
    Tape & Reel (TR)
  • Verpakking / doos
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Temperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • montage Type
    Surface Mount
  • Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Loodvrije status / RoHS-status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    24nC @ 5V
  • FET Type
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Aandrijfspanning (Max. Rds Aan, Min. Rds Aan)
    4.5V, 10V
  • Drain naar de Bron Voltage (Vdss)
    30V
  • gedetailleerde beschrijving
    N-Channel 30V 11A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C
    11A (Ta)

Het is gemeld dat Kioxia op 22 november goedkeuring zal ont...

2024/11/21

Het nieuwste silicium optische platform van Tower Semicondu...

2024/11/20

De industrie herstelt langzaam.De epitaxiale leverancier IQ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Leverancier: een groot aantal RTX 50 -serie GPU -componente...

2024/11/18

Taiwan, de outputwaarde van China Semiconductor zal dit jaa...

2024/11/17

LG -display breidt de productie van OLED -panelen uit en be...

2024/11/15

Amazon verhoogt de inspanningen om AI -chips op maat te mak...

2024/11/14

De nettowinst van Pegatron was NT $ 4,296 miljard, een drie...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Zuid -Korea is van plan de chipwet uit te voeren om de drei...

2024/11/13
Verzenden
Betaling
Het volgende is "SI4888DY-T1-GE3" gerelateerde producten.
SI4892DY-T1-GE3

SI4892DY-T1-GE3

Beschrijving: MOSFET N-CH 30V 8.8A 8-SOIC

fabrikanten: Electro-Films (EFI) / Vishay
Op voorraad
RFQ
SI4894BDY-T1-E3

SI4894BDY-T1-E3

Beschrijving: MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC

fabrikanten: Electro-Films (EFI) / Vishay
Op voorraad
RFQ
SI4896DY-T1-E3

SI4896DY-T1-E3

Beschrijving: MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-SOIC

fabrikanten: Electro-Films (EFI) / Vishay
Op voorraad
RFQ
SI4890BDY-T1-GE3

SI4890BDY-T1-GE3

Beschrijving: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

fabrikanten: Electro-Films (EFI) / Vishay
Op voorraad
RFQ
SI4884BDY-T1-GE3

SI4884BDY-T1-GE3

Beschrijving: MOSFET N-CH 30V 16.5A 8-SOIC

fabrikanten: Electro-Films (EFI) / Vishay
Op voorraad
RFQ
SI4890DY-T1-E3

SI4890DY-T1-E3

Beschrijving: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

fabrikanten: Electro-Films (EFI) / Vishay
Op voorraad
RFQ
SI4894BDY-T1-GE3

SI4894BDY-T1-GE3

Beschrijving: MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC

fabrikanten: Electro-Films (EFI) / Vishay
Op voorraad
RFQ
SI4896DY-T1-GE3

SI4896DY-T1-GE3

Beschrijving: MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SOIC

fabrikanten: Electro-Films (EFI) / Vishay
Op voorraad
RFQ
SI4884BDY-T1-E3

SI4884BDY-T1-E3

Beschrijving: MOSFET N-CH 30V 16.5A 8-SOIC

fabrikanten: Electro-Films (EFI) / Vishay
Op voorraad
RFQ
SI4880DY-T1-GE3

SI4880DY-T1-GE3

Beschrijving: MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC

fabrikanten: Electro-Films (EFI) / Vishay
Op voorraad
RFQ
SI4888DY-T1-E3

SI4888DY-T1-E3

Beschrijving: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

fabrikanten: Electro-Films (EFI) / Vishay
Op voorraad
RFQ
SI4876DY-T1-E3

SI4876DY-T1-E3

Beschrijving: MOSFET N-CH 20V 14A 8-SOIC

fabrikanten: Electro-Films (EFI) / Vishay
Op voorraad
RFQ
SI4874BDY-T1-GE3

SI4874BDY-T1-GE3

Beschrijving: MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC

fabrikanten: Electro-Films (EFI) / Vishay
Op voorraad
RFQ
SI4890BDY-T1-E3

SI4890BDY-T1-E3

Beschrijving: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

fabrikanten: Electro-Films (EFI) / Vishay
Op voorraad
RFQ
SI4886DY-T1-E3

SI4886DY-T1-E3

Beschrijving: MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC

fabrikanten: Electro-Films (EFI) / Vishay
Op voorraad
RFQ
SI4880DY-T1-E3

SI4880DY-T1-E3

Beschrijving: MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC

fabrikanten: Electro-Films (EFI) / Vishay
Op voorraad
RFQ
SI4892DY-T1-E3

SI4892DY-T1-E3

Beschrijving: MOSFET N-CH 30V 8.8A 8-SOIC

fabrikanten: Electro-Films (EFI) / Vishay
Op voorraad
RFQ
SI4890DY-T1-GE3

SI4890DY-T1-GE3

Beschrijving: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

fabrikanten: Electro-Films (EFI) / Vishay
Op voorraad
RFQ
SI4876DY-T1-GE3

SI4876DY-T1-GE3

Beschrijving: MOSFET N-CH 20V 14A 8-SOIC

fabrikanten: Electro-Films (EFI) / Vishay
Op voorraad
RFQ
SI4886DY-T1-GE3

SI4886DY-T1-GE3

Beschrijving: MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC

fabrikanten: Electro-Films (EFI) / Vishay
Op voorraad
RFQ
Als de enige openbare open marktdistributeur hebben we een unieke combinatie van wereldwijde toegang tot de productie -industrie en bewezen kwaliteit.Hiermee kunnen we aangepaste, end-to-end supply chain-oplossingen maken voor elektronica-componenten sourcing en voorraadbeheer.
Volg ons
algemene voorwaardenInbreukbeleidEen offerte aanvragenOver onsNeem contact met ons opSitekaart

Selecteer Taal

Klik op de ruimte om te verlaten

Huidige taal

Kies uw land of regio.