Voor bezoekers van Electronica 2024

Boek nu je tijd!

Het enige dat nodig is, is een paar klikken om uw plaats te reserveren en het stand -ticket te krijgen

Hall C5 Booth 220

Voorafgaande registratie

Voor bezoekers van Electronica 2024
Jullie melden zich allemaal aan! Bedankt voor het maken van een afspraak!
We sturen u de stand -tickets per e -mail zodra we uw reservering hebben geverifieerd.
Huis > producten > Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Single > R6030KNZ1C9
RFQs/bestelling (0)
Nederland
Nederland
4133923R6030KNZ1C9-afbeeldingLAPIS Semiconductor

R6030KNZ1C9

Offerte aanvragen

Vul alle vereiste velden in met uw contactgegevens. Klik op "RFQ indienen" We nemen binnenkort contact met u op via e -mail.Of e -mail ons:info@ftcelectronics.com

Referentieprijs (in Amerikaanse dollars)

Op voorraad
1+
$4.09
10+
$3.651
100+
$2.994
500+
$2.424
1000+
$2.045
Onderzoek online
bestek
  • Onderdeel nummer
    R6030KNZ1C9
  • Fabrikant / Merk
    LAPIS Technology
  • Aandelenhoeveelheid
    Op voorraad
  • Beschrijving
    MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO247
  • Leid Free Status / RoHS Status
    Loodvrij / RoHS-conform
  • Datasheets
    R6030KNZ1C9.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Leverancier Device Pakket
    TO-247
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, VGS
    130 mOhm @ 14.5A, 10V
  • Vermogensverlies (Max)
    305W (Tc)
  • Packaging
    Tape & Reel (TR)
  • Verpakking / doos
    TO-247-3
  • Andere namen
    R6030KNZ1C9TR
    R6030KNZ1C9TR-ND
  • Temperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • montage Type
    Through Hole
  • Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Fabrikant Standaard Levertijd
    13 Weeks
  • Loodvrije status / RoHS-status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2350pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    56nC @ 10V
  • FET Type
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Aandrijfspanning (Max. Rds Aan, Min. Rds Aan)
    10V
  • Drain naar de Bron Voltage (Vdss)
    600V
  • gedetailleerde beschrijving
    N-Channel 600V 30A (Tc) 305W (Tc) Through Hole TO-247
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C
    30A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kondigt 500 ontslagen aan, met herstructureringsk...

2024/12/4

Quanta: AI -vraag blijft sterk, met een gestage stroom van ...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vermindert het fotoresistische gebruik aanzienlijk ...

2024/12/2

Vishay zal £ 51 miljoen investeren in de overgenomen NWF W...

2024/11/29

Trump's tariefdreiging, NVIDIA, Intel Leveranciers beoo...

2024/11/28

Intel ontvangt $ 7,86 miljard aan subsidies onder de US Chi...

2024/11/27

AMD lanceert de bouw van de tweede fase van het Bangalore D...

2024/11/26
Verzenden
Betaling
Het volgende is "R6030KNZ1C9" gerelateerde producten.
R6031425HSYA

R6031425HSYA

Beschrijving: DIODE GEN PURP 1.4KV 250A DO205

fabrikanten: Powerex, Inc.
Op voorraad
RFQ
R6030822PSYA

R6030822PSYA

Beschrijving: DIODE GEN PURP 800V 220A DO205AB

fabrikanten: Powerex, Inc.
Op voorraad
RFQ
R6031035ESYA

R6031035ESYA

Beschrijving: DIODE GEN PURP 1KV 350A DO205

fabrikanten: Powerex, Inc.
Op voorraad
RFQ
R6031022PSYA

R6031022PSYA

Beschrijving: DIODE GEN PURP 1KV 220A DO205

fabrikanten: Powerex, Inc.
Op voorraad
RFQ
R6030KNX

R6030KNX

Beschrijving: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM

fabrikanten: LAPIS Semiconductor
Op voorraad
RFQ
R6030ENZC8

R6030ENZC8

Beschrijving: MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF

fabrikanten: LAPIS Semiconductor
Op voorraad
RFQ
R6030635ESYA

R6030635ESYA

Beschrijving: DIODE GEN PURP 600V 350A DO205AB

fabrikanten: Powerex, Inc.
Op voorraad
RFQ
R6030625HSYA

R6030625HSYA

Beschrijving: DIODE GEN PURP 600V 250A DO205AB

fabrikanten: Powerex, Inc.
Op voorraad
RFQ
R6030835ESYA

R6030835ESYA

Beschrijving: DIODE GEN PURP 800V 350A DO205AB

fabrikanten: Powerex, Inc.
Op voorraad
RFQ
R6031222PSYA

R6031222PSYA

Beschrijving: DIODE GEN PURP 1.2KV 220A DO205

fabrikanten: Powerex, Inc.
Op voorraad
RFQ
R6030ENX

R6030ENX

Beschrijving: MOSFET N-CH 600V 30A TO220

fabrikanten: LAPIS Semiconductor
Op voorraad
RFQ
R6031235ESYA

R6031235ESYA

Beschrijving: DIODE GEN PURP 1.2KV 350A DO205

fabrikanten: Powerex, Inc.
Op voorraad
RFQ
R6031435ESYA

R6031435ESYA

Beschrijving: DIODE GEN PURP 1.4KV 350A DO205

fabrikanten: Powerex, Inc.
Op voorraad
RFQ
R6031225HSYA

R6031225HSYA

Beschrijving: DIODE GEN PURP 1.2KV 250A DO205

fabrikanten: Powerex, Inc.
Op voorraad
RFQ
R6030ENZ1C9

R6030ENZ1C9

Beschrijving: MOSFET N-CH 600V 30A TO247

fabrikanten: LAPIS Semiconductor
Op voorraad
RFQ
R6031025HSYA

R6031025HSYA

Beschrijving: DIODE GEN PURP 1KV 250A DO205

fabrikanten: Powerex, Inc.
Op voorraad
RFQ
R6030KNZC8

R6030KNZC8

Beschrijving: MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO3PF

fabrikanten: LAPIS Semiconductor
Op voorraad
RFQ
R6030MNX

R6030MNX

Beschrijving: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM

fabrikanten: LAPIS Semiconductor
Op voorraad
RFQ
R6030825HSYA

R6030825HSYA

Beschrijving: DIODE GEN PURP 800V 250A DO205AB

fabrikanten: Powerex, Inc.
Op voorraad
RFQ
R6030KNXC7

R6030KNXC7

Beschrijving: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM

fabrikanten: LAPIS Semiconductor
Op voorraad
RFQ
Als de enige openbare open marktdistributeur hebben we een unieke combinatie van wereldwijde toegang tot de productie -industrie en bewezen kwaliteit.Hiermee kunnen we aangepaste, end-to-end supply chain-oplossingen maken voor elektronica-componenten sourcing en voorraadbeheer.
Volg ons
algemene voorwaardenInbreukbeleidEen offerte aanvragenOver onsNeem contact met ons opSitekaart

Selecteer Taal

Klik op de ruimte om te verlaten

Huidige taal

Kies uw land of regio.