Voor bezoekers van Electronica 2024

Boek nu je tijd!

Het enige dat nodig is, is een paar klikken om uw plaats te reserveren en het stand -ticket te krijgen

Hall C5 Booth 220

Voorafgaande registratie

Voor bezoekers van Electronica 2024
Jullie melden zich allemaal aan! Bedankt voor het maken van een afspraak!
We sturen u de stand -tickets per e -mail zodra we uw reservering hebben geverifieerd.
Huis > producten > Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Single > RS1E170GNTB
RFQs/bestelling (0)
Nederland
Nederland
3363247RS1E170GNTB-afbeeldingLAPIS Semiconductor

RS1E170GNTB

Offerte aanvragen

Vul alle vereiste velden in met uw contactgegevens. Klik op "RFQ indienen" We nemen binnenkort contact met u op via e -mail.Of e -mail ons:info@ftcelectronics.com

Referentieprijs (in Amerikaanse dollars)

Op voorraad
2500+
$0.25
Onderzoek online
bestek
  • Onderdeel nummer
    RS1E170GNTB
  • Fabrikant / Merk
    LAPIS Technology
  • Aandelenhoeveelheid
    Op voorraad
  • Beschrijving
    MOSFET N-CH 30V 17A 8-HSOP
  • Leid Free Status / RoHS Status
    Loodvrij / RoHS-conform
  • Datasheets
    1.RS1E170GNTB.pdf
    2.RS1E170GNTB.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Leverancier Device Pakket
    8-HSOP
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, VGS
    6.7 mOhm @ 17A, 10V
  • Vermogensverlies (Max)
    3W (Ta), 23.7W (Tc)
  • Packaging
    Tape & Reel (TR)
  • Verpakking / doos
    8-PowerTDFN
  • Andere namen
    RS1E170GNTBTR
  • Temperatuur
    150°C (TJ)
  • montage Type
    Surface Mount
  • Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Fabrikant Standaard Levertijd
    40 Weeks
  • Loodvrije status / RoHS-status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    720pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    12nC @ 10V
  • FET Type
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Aandrijfspanning (Max. Rds Aan, Min. Rds Aan)
    4.5V, 10V
  • Drain naar de Bron Voltage (Vdss)
    30V
  • gedetailleerde beschrijving
    N-Channel 30V 17A (Ta) 3W (Ta), 23.7W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C
    17A (Ta)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kondigt 500 ontslagen aan, met herstructureringsk...

2024/12/4

Quanta: AI -vraag blijft sterk, met een gestage stroom van ...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vermindert het fotoresistische gebruik aanzienlijk ...

2024/12/2

Vishay zal £ 51 miljoen investeren in de overgenomen NWF W...

2024/11/29

Trump's tariefdreiging, NVIDIA, Intel Leveranciers beoo...

2024/11/28

Intel ontvangt $ 7,86 miljard aan subsidies onder de US Chi...

2024/11/27

AMD lanceert de bouw van de tweede fase van het Bangalore D...

2024/11/26
Verzenden
Betaling
Het volgende is "RS1E170GNTB" gerelateerde producten.
RS1E150GNTB

RS1E150GNTB

Beschrijving: MOSFET N-CH 30V 15A 8-HSOP

fabrikanten: LAPIS Semiconductor
Op voorraad
RFQ
RS1E200GNTB

RS1E200GNTB

Beschrijving: MOSFET N-CH 30V 20A 8-HSOP

fabrikanten: LAPIS Semiconductor
Op voorraad
RFQ
RS1DLHRVG

RS1DLHRVG

Beschrijving: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

fabrikanten: TSC (Taiwan Semiconductor)
Op voorraad
RFQ
RS1E240BNTB

RS1E240BNTB

Beschrijving: MOSFET N-CH 30V 24A 8HSOP

fabrikanten: LAPIS Semiconductor
Op voorraad
RFQ
RS1DLHRUG

RS1DLHRUG

Beschrijving: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

fabrikanten: TSC (Taiwan Semiconductor)
Op voorraad
RFQ
RS1DLW RVG

RS1DLW RVG

Beschrijving: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123W

fabrikanten: TSC (Taiwan Semiconductor)
Op voorraad
RFQ
RS1E300GNTB

RS1E300GNTB

Beschrijving: MOSFET N-CH 30V 30A 8-HSOP

fabrikanten: LAPIS Semiconductor
Op voorraad
RFQ
RS1E200BNTB

RS1E200BNTB

Beschrijving: MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP

fabrikanten: LAPIS Semiconductor
Op voorraad
RFQ
RS1E350BNTB

RS1E350BNTB

Beschrijving: MOSFET N-CH 30V 35A 8HSOP

fabrikanten: LAPIS Semiconductor
Op voorraad
RFQ
RS1E130GNTB

RS1E130GNTB

Beschrijving: MOSFET N-CH 30V 13A 8-HSOP

fabrikanten: LAPIS Semiconductor
Op voorraad
RFQ
RS1E280GNTB

RS1E280GNTB

Beschrijving: MOSFET N-CH 30V 28A 8-HSOP

fabrikanten: LAPIS Semiconductor
Op voorraad
RFQ
RS1E320GNTB

RS1E320GNTB

Beschrijving: MOSFET N-CH 30V 32A 8-HSOP

fabrikanten: LAPIS Semiconductor
Op voorraad
RFQ
RS1DLHRTG

RS1DLHRTG

Beschrijving: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

fabrikanten: TSC (Taiwan Semiconductor)
Op voorraad
RFQ
RS1DLWHRVG

RS1DLWHRVG

Beschrijving: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123W

fabrikanten: TSC (Taiwan Semiconductor)
Op voorraad
RFQ
RS1E180BNTB

RS1E180BNTB

Beschrijving: MOSFET N-CHANNEL 30V 60A 8-HSOP

fabrikanten: LAPIS Semiconductor
Op voorraad
RFQ
RS1E280BNTB

RS1E280BNTB

Beschrijving: MOSFET N-CH 30V 28A 8HSOP

fabrikanten: LAPIS Semiconductor
Op voorraad
RFQ
RS1DLHRQG

RS1DLHRQG

Beschrijving: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

fabrikanten: TSC (Taiwan Semiconductor)
Op voorraad
RFQ
RS1DLHRHG

RS1DLHRHG

Beschrijving: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

fabrikanten: TSC (Taiwan Semiconductor)
Op voorraad
RFQ
RS1DTR

RS1DTR

Beschrijving: DIODE GEN PURP 200V 1A SMA

fabrikanten: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
Op voorraad
RFQ
RS1E240GNTB

RS1E240GNTB

Beschrijving: MOSFET N-CH 30V 24A 8-HSOP

fabrikanten: LAPIS Semiconductor
Op voorraad
RFQ
Als de enige openbare open marktdistributeur hebben we een unieke combinatie van wereldwijde toegang tot de productie -industrie en bewezen kwaliteit.Hiermee kunnen we aangepaste, end-to-end supply chain-oplossingen maken voor elektronica-componenten sourcing en voorraadbeheer.
Volg ons
algemene voorwaardenInbreukbeleidEen offerte aanvragenOver onsNeem contact met ons opSitekaart

Selecteer Taal

Klik op de ruimte om te verlaten

Huidige taal

Kies uw land of regio.