Voor bezoekers van Electronica 2024

Boek nu je tijd!

Het enige dat nodig is, is een paar klikken om uw plaats te reserveren en het stand -ticket te krijgen

Hall C5 Booth 220

Voorafgaande registratie

Voor bezoekers van Electronica 2024
Jullie melden zich allemaal aan! Bedankt voor het maken van een afspraak!
We sturen u de stand -tickets per e -mail zodra we uw reservering hebben geverifieerd.
Huis > producten > Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Single > APT11N80BC3G
RFQs/bestelling (0)
Nederland
Nederland
5822088APT11N80BC3G-afbeeldingMicrosemi

APT11N80BC3G

Offerte aanvragen

Vul alle vereiste velden in met uw contactgegevens. Klik op "RFQ indienen" We nemen binnenkort contact met u op via e -mail.Of e -mail ons:info@ftcelectronics.com

Referentieprijs (in Amerikaanse dollars)

Op voorraad
1+
$6.96
30+
$5.595
120+
$5.098
510+
$4.128
1020+
$3.481
Onderzoek online
bestek
  • Onderdeel nummer
    APT11N80BC3G
  • Fabrikant / Merk
    Microsemi
  • Aandelenhoeveelheid
    Op voorraad
  • Beschrijving
    MOSFET N-CH 800V 11A TO-247
  • Leid Free Status / RoHS Status
    Loodvrij / RoHS-conform
  • Datasheets
    APT11N80BC3G.pdf
  • ECAD -model
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3.9V @ 680µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Leverancier Device Pakket
    TO-247 [B]
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, VGS
    450 mOhm @ 7.1A, 10V
  • Vermogensverlies (Max)
    156W (Tc)
  • Packaging
    Tube
  • Verpakking / doos
    TO-247-3
  • Andere namen
    APT11N80BC3GMI
    APT11N80BC3GMI-ND
  • Temperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • montage Type
    Through Hole
  • Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Fabrikant Standaard Levertijd
    18 Weeks
  • Loodvrije status / RoHS-status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1585pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    60nC @ 10V
  • FET Type
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Aandrijfspanning (Max. Rds Aan, Min. Rds Aan)
    10V
  • Drain naar de Bron Voltage (Vdss)
    800V
  • gedetailleerde beschrijving
    N-Channel 800V 11A (Tc) 156W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C
    11A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kondigt 500 ontslagen aan, met herstructureringsk...

2024/12/4

Quanta: AI -vraag blijft sterk, met een gestage stroom van ...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vermindert het fotoresistische gebruik aanzienlijk ...

2024/12/2

Vishay zal £ 51 miljoen investeren in de overgenomen NWF W...

2024/11/29

Trump's tariefdreiging, NVIDIA, Intel Leveranciers beoo...

2024/11/28

Intel ontvangt $ 7,86 miljard aan subsidies onder de US Chi...

2024/11/27
Verzenden
Betaling
Het volgende is "APT11N80BC3G" gerelateerde producten.
APT10SCD120K

APT10SCD120K

Beschrijving: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220

fabrikanten: Microsemi
Op voorraad
RFQ
APT12057B2LLG

APT12057B2LLG

Beschrijving: MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX

fabrikanten: Microsemi
Op voorraad
RFQ
APT11F80S

APT11F80S

Beschrijving: MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK

fabrikanten: Microsemi
Op voorraad
RFQ
APT12031JFLL

APT12031JFLL

Beschrijving: MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227

fabrikanten: Microsemi
Op voorraad
RFQ
APT10SCD65KCT

APT10SCD65KCT

Beschrijving: DIODE SILICON 650V 17A TO220

fabrikanten: Microsemi
Op voorraad
RFQ
APT12057LFLLG

APT12057LFLLG

Beschrijving: MOSFET N-CH 1200V 22A TO-264

fabrikanten: Microsemi
Op voorraad
RFQ
APT10SCD120BCT

APT10SCD120BCT

Beschrijving: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

fabrikanten: Microsemi
Op voorraad
RFQ
APT11GF120BRDQ1G

APT11GF120BRDQ1G

Beschrijving: IGBT 1200V 25A 156W TO247

fabrikanten: Microsemi
Op voorraad
RFQ
APT11GF120KRG

APT11GF120KRG

Beschrijving: IGBT 1200V 25A 156W TO220

fabrikanten: Microsemi
Op voorraad
RFQ
APT11N80KC3G

APT11N80KC3G

Beschrijving: MOSFET N-CH 800V 11A TO-220

fabrikanten: Microsemi
Op voorraad
RFQ
APT12057B2FLLG

APT12057B2FLLG

Beschrijving: MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX

fabrikanten: Microsemi Corporation
Op voorraad
RFQ
APT1204R7BFLLG

APT1204R7BFLLG

Beschrijving: MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO-247

fabrikanten: Microsemi
Op voorraad
RFQ
APT12057JLL

APT12057JLL

Beschrijving: MOSFET N-CH 1200V 19A SOT227

fabrikanten: Microsemi
Op voorraad
RFQ
APT1201R4BFLLG

APT1201R4BFLLG

Beschrijving: MOSFET N-CH 1200V 9A TO-247

fabrikanten: Microsemi
Op voorraad
RFQ
APT11F80B

APT11F80B

Beschrijving: MOSFET N-CH 800V 12A TO-247

fabrikanten: Microsemi
Op voorraad
RFQ
APT1204R7KFLLG

APT1204R7KFLLG

Beschrijving: MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO-220

fabrikanten: Microsemi
Op voorraad
RFQ
APT11GP60BDQBG

APT11GP60BDQBG

Beschrijving: IGBT 600V 41A 187W TO247

fabrikanten: Microsemi
Op voorraad
RFQ
APT10SCD65K

APT10SCD65K

Beschrijving: DIODE SILICON 650V 17A TO220

fabrikanten: Microsemi
Op voorraad
RFQ
APT12067B2FLLG

APT12067B2FLLG

Beschrijving: MOSFET N-CH 1200V 18A T-MAX

fabrikanten: Microsemi Corporation
Op voorraad
RFQ
APT10SCD120B

APT10SCD120B

Beschrijving: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

fabrikanten: Microsemi
Op voorraad
RFQ
Als de enige openbare open marktdistributeur hebben we een unieke combinatie van wereldwijde toegang tot de productie -industrie en bewezen kwaliteit.Hiermee kunnen we aangepaste, end-to-end supply chain-oplossingen maken voor elektronica-componenten sourcing en voorraadbeheer.
Volg ons
algemene voorwaardenInbreukbeleidEen offerte aanvragenOver onsNeem contact met ons opNieuwsSitekaart

Selecteer Taal

Klik op de ruimte om te verlaten

Huidige taal

Kies uw land of regio.